消息指海力士加速研发层闪存明年末量产就绪

消息指海力士加速研发，层闪存明年末量产就绪

IT之家8月1日消息，韩媒ETNews报道称，SK海力士将加速下一代NAND闪存的开发，计划2025年末完成400 层堆叠NAND的量产准备，2026年二季度正式启动大规模生产。SK海力士此前在2023年展示了321层堆叠NAND闪存的样品，并称这一颗粒计划于2025上半年实现量产。▲SK海力士321层NAND闪存按照韩媒的说法，SK海力士未来两代NAND的间隔将缩短至约1年，明显短于业界平均水平。IT之家注：从代际发布间隔来看，美光从232层NAND闪存到276层用时2年，三星V8NAND和V9NAND间隔约1....