消息指海力士加速研发，层闪存明年末量产就绪

IT之家8月1日消息，韩媒ETNews报道称，SK海力士将加速下一代NAND闪存的开发，计划2025年末完成400 层堆叠NAND的量产准备，2026年二季度正式启动大规模生产。

SK海力士此前在2023年展示了321层堆叠NAND闪存的样品，并称这一颗粒计划于2025上半年实现量产。

▲SK海力士321层NAND闪存

按照韩媒的说法，SK海力士未来两代NAND的间隔将缩短至约1年，明显短于业界平均水平。

IT之家注：从代际发布间隔来看，美光从232层NAND闪存到276层用时2年，三星V8NAND和V9NAND间隔约1.5年。

韩媒在报道中还提到，SK海力士新的400 层堆叠NAND闪存将采用不同于现有“4DNAND”的整体结构：

SK海力士目前的4DNAND采用了PUC（PeriUnderCell，单元下外围）技术，将外围控制电路放置在存储单元的下方，较更传统的外围电路侧置设计可减少芯片占用空间。

而SK海力士未来的NAND将在两块晶圆上分别制造外围电路和存储单元，消息指海力士加速研发，层闪存明年末量产就绪此后采用W2W（晶圆对晶圆）形式的混合键合技术，将这两部分整合为完整的闪存。

换句话说，SK海力士也将采用类似长江存储Xtacking、铠侠-西部数据CBA的结构设计。

报道指出，SK海力士已在着手构建NAND混合键合所需的原材料与设备供应链，正对混合键合技术与材料进行新的审查；此外三星电子也考虑在下一代NAND生产中应用混合键合。